پایان نامه مدلسازی و شبیه سازی سوئیچ MPLS
درباره وب

محیطی امن و مطمئن جهت رفاه محققین، دانشجویان و دانش آموزان عزیز برای دانلود پایان نامه، مقاله و پروژه های علمی و آموزشی در تمامی رشته ها تمامی فایلهای ارائه شده در این سایت قابل دانلود بوده و مبلغ آن به صورت آنلاین پرداخت می شود. پس از پرداخت بلافاصله لينک دانلود نمایش داده مي شود و همزمان يك نسخه از فايل به ايميل شما ارسال مي گردد.
نويسندگان
امکانات وب

    آمار وب سایت:  

    بازدید امروز : 1771
    بازدید دیروز : 844
    بازدید هفته : 2713
    بازدید ماه : 2615
    بازدید کل : 287666
    تعداد مطالب : 1157
    تعداد نظرات : 2
    تعداد آنلاین : 1



    خرید و فروش فایل

    counter hit make

پایان نامه مدلسازی و شبیه سازی سوئیچ MPLS



پایان نامه رشته برق با موضوع مدلسازی و شبیه سازی سوئیچ MPLS و بررسی مقایسه ای نرم افزارهای موجود

پایان نامه دوره کارشناسی ارشد رشته برق با موضوع مدلسازی و شبیه سازی سوئیچ MPLS و بررسی مقایسه ای نرم افزارهای موجود در 6 فصل به همراه فهرست منابع و فهرست مطالب

چکیده: امروزه سرعت بیشتر و کیفیت سرویس بهتر مهمترین چالش های دنیای شبکه می باشند. تلاشهای زیادی که در این راستا در حال انجام می باشد، منجر به ارائه فنآوری ها، پروتکل ها و روشهای مختلف مهندسی ترافیک شده است. در این پایان نامه بعد از بررسی آنها به معرفی MPLS که به عنوان یک فنآوری نوین توسط گروه IETF ارائه شده است، خواهیم پرداخت. سپس به بررسی انواع ساختار سوئیچ های شبکه خواهیم پرداخت و قسمتهای مختلف تشکیل دهنده یک سوئیچ  MPLS را تغیین خواهیم کرد. سرانجام با نگاهی به روشهای طراحی و شبیه سازی و نرم افزارهای موجود آن، با انتخاب زبان شبیه سازی SMPL، به شبیه سازی قسمتهای مختلف سوئیچ و بررسی نتایج حاصل می پردازیم. همچنین یک الگوریتم زمانبندی جدید برای فابریک سوئیچ های متقاطع با عنوان iSLIP اولویت دار بهینه معرفی شده است که نسبت به انواع قبلی دارای کارآیی بسیار بهتری می باشد.

فهرست مطالب:

  • فصل اول: کیفیت سرویس و فنآوری های شبكه
  • مقدمه
  • كیفیت سرویس در اینترنت
  • پروتكل رزور منابع در اینترنت
  • سرویس های متمایز
  • مهندسی ترافیك
  • سوئیچنگ برحسب چندین پروتكل
  • مجتمع سازی IP و ATM
  • مسیریابی در IP
  • سوئیچینگ
  • تركیب مسیریابی و سوئیچینگ
  • MPLS
  • فصل دوم: فنآوریMPLS
  • مقدمه
  • اساس كار MPLS
  • پشته برچسب
  • جابجایی برچسب
  • مسیر سوئیچ برچسب (LSR)
  • كنترل LSP
  • مجتمع سازی ترافیك
  • انتخاب مسیر
  • زمان زندگی (TTL)
  • استفاده از سوئیچ های ATM به عنوان LSR
  • ادغام برچسب
  • تونل
  • پروتكل های توزیع برچسب در MPLS
  • فصل سوم: ساختار سوئیچ های شبكه
  • مقدمه
  • ساختار كلی سوئیچ های شبكه
  • كارت خط
  • فابریك سوئیچ
  • فابریك سوئیچ با واسطه مشترك
  • فابریك سوئیچ با حافظه مشترك
  • فابریك سوئیچ متقاطع
  • فصل چهارم: مدلسازی و شبیه‌سازی یك سوئیچ MPLS
  • مقدمه
  • روشهای طراحی سیستمهای تك منظوره
  • مراحل طراحی سیستمهای تك منظوره
  • مشخصه سیستم
  • تایید صحت
  • سنتز
  • زبانهای شبیه سازی
  • زبان شبیه سازی SMPL
  • آماده سازی اولیه مدل
  • تعریف و كنترل وسیله
  • زمانبندی و ایجاد رخدادها
  • مدلهای ترافیكی
  • ترافیك برنولی یكنواخت
  • ترافیك زنجیره ای
  • ترافیك آماری
  • مدلسازی كارت خط در ورودی
  • مدلسازی فابریك سوئیچ
  • الگوریتم iSLIP
  • الگوریتم iSLIP اولویت دار
  • الگوریتم iSLIP  اولویت دار بهینه
  • مدلسازی كارت خط در خروجی
  • الگوریتم WRR
  • الگوریتم DWRR
  • شبیه سازی كل سوئیچ
  • كنترل جریان
  • فصل پنجم: نتیجه گیری و پیشنهادات
  • مقدمه
  • نتیجه گیری
  • پیشنهادات
  • مراجع

...

فرمت فایل: DOC (ورد 2003) قابل ویرایش تعداد صفحات: 99

 

برای دانلود فایل اینجا کلیک کنید



:: نویسنده : dpp
:: موضوعات مرتبط: برق و الکترونیک، پایان نامه، ،
:: برچسب‌ها: دانلود پایان نامه مدلسازی و شبیه سازی سوئیچ MPLS, دانلود پایان نامه, دانلود پایان نامه مهندسی برق, دانلود پایان نامه برق, مدلسازی و شبیه سازی سوئیچ MPLS , دانلود, پایان نامه , مدلسازی , و , شبیه , سازی سوئیچ, MPLS ,
تاريخ : جمعه 16 آذر 1392 | |

دانلود پایان نامه مهندسی برق



دانلود پایان نامه مهندسی برق

بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

چکیده مقاله: با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود .

 

این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال ۲۰۱۰ باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد .

جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی پرداخته ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه های نسل آینده را خواهند گرفت

سرفصل :

  • مقدمه
  • مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن
  • مقدمه
  • گونه های مختلف کربن در طبیعت
  • کربن بیشکل
  • الماس
  • گرافیت
  • فلورن و نانو لوله های کربنی
  • ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله ی کربنی
  • بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولوله های کربنی
  • ساختار الکترونی کربن
  • اربیتال p کربن
  • روش وردشی
  • هیبریداسون اربیتالهای کربن
  • ساختار هندسی گرافیت و نانولوله ی کربنی
  • ساختار هندسی گرافیت
  • ساختار هندسی نانولوله های کربنی
  • یاختهی واحد گرافیت و نانولوله ی کربنی
  • یاختهی واحد صفحه ی گرافیت
  • یاخته واحد نانولوله ی کربنی
  • محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولوله ی کربنی
  • مولکولهای محدود
  • ترازهای انرژی گرافیت
  • ترازهای انرژی نانولوله ی کربنی
  • چگالی حالات در نانولوله ی کربنی
  • نمودار پاشندگی فونون ها در صفحه ی گرافیت و نانولوله های کربنی
  • مدل ثابت نیرو و رابطه ی پاشندگی فونونی برای صفحه ی گرافیت
  • رابطه ی پاشندگی فونونی برای نانولوله های کربنی
  • پراکندگی الکترون فونون
  • تابع توزیع الکترون
  • محاسبه نرخ پراکندگی کل
  • شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون
  • ضرورت تعریف روال واگرد
  • بحث و نتیجه گیری
  • نرخ پراکندگی
  • تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی
  • بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون
  • بررسی توزیع سرعت در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
  • بررسی جریان الکتریکی در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
  • بررسی مقاومت نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
  • بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
  • نتیجه گیری
  • پیشنهادات
  • ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد.
  • منابع
  • چکیده انگلیسی

...

فرمت فایل: DOC (ورد 2003)
تعداد صفحات: 86

 

 

 

 

برای دانلود فایل اینجا کلیک کنید

 


:: نویسنده : dpp
:: موضوعات مرتبط: برق و الکترونیک، پایان نامه، ،
:: برچسب‌ها: بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی, دانلود پایان نامه, دانلود پایان نامه مهندسی برق, پایان نامه, پایان نامه مهندسی برق,
تاريخ : شنبه 3 فروردين 1392 | |


صفحه قبل 1 2 3 4 5 ... 116 صفحه بعد